Poröses Silizium

Das elektrochemische Porosizieren von Silizium wird dazu verwendet, die Oberfläche eines Silizium-Wafers so zu präparieren, dass ein Transfer einer auf das poröse Silizium epitaktisch gewachsenen Silizium-Schicht möglich ist. Einen Schwerpunkt der Arbeiten bildet die kristallographische und elektrische Charakterisierung der epitaktisch aufgewachsenen Siliziumschicht in Abhängigkeit der Eigenschaften der porösen Siliziumschicht.

Zur Herstellung dieser porösen Schicht auf der Oberfläche eines Silizium-Ingots wurde in Zusammenarbeit mit Partnern eine entsprechende Anlage entwickelt. Zusätzlich steht auch eine konventionelle Zweikammeranlage für das Porosizieren von Silizium-Scheiben des Formats 156 x 156 mm2 zur Verfügung.