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Im Unterschied zu herkömmlichen Czochralski-Si-Wafern, wie sie in der Solarindustrie Verwendung finden, bilden sich in epitaktisch gewachsenen Wafern andersartige Kristalldefekte aus. Diese Kristalldefekte sind eine Hauptlimitierung der heutigen EpiWafer Qualität. Die bei der Epitaxie erzeugten Kristalldefekte hemmen darüber hinaus die Effizienz von Aufreinigungsprozessen (Gettern), wodurch viel Potential, bessere Qualitäten als konventionelle Wafer zu erreichen nicht ausgeschöpft werden kann. Im Detail sollen an der Universität Konstanz der Einfluss der Morphologie der Saatwaferoberfläche auf die Porenbildung untersucht werden. Daran anschließend erfolgt an der Universität Konstanz die Reorganisation der Poren in einem Einzelwaferreaktor. Hierzu soll geklärt werden welche Haupteinflussfaktoren es gibt, die insbesondere beeinflussen wie sich die Oberfläche der porösen Schicht schließt und wie es zu Si-Anhäufungen kommt, die eine Ablösen der EpiWafer stören.